ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР С Р-N ПЕРЕХОДОМ (ВАРИАНТЫ)

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР С Р-N ПЕРЕХОДОМ (ВАРИАНТЫ)


RU (11) 2197046 (13) C2

(51) 7 H01S5/00, H01S5/32 

(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ 
Статус: по данным на 25.10.2007 - может прекратить свое действие 

--------------------------------------------------------------------------------

(21) Заявка: 2001107079/28 
(22) Дата подачи заявки: 2001.03.19 
(24) Дата начала отсчета срока действия патента: 2001.03.19 
(45) Опубликовано: 2003.01.20 
(56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: АЛФЕРОВ Ж.И. Инжекционные гетеролазеры. Сборник Полупроводниковые приборы и их применение. - М., вып.25, 1971, с.204-205. US 4504950 A, 12.03.1985. RU 1345684 A1, 20.08.1996. US 4327492 A, 04.05.1982. SU 986268 A1, 20.10.1995. SU 1414238 A1, 10.06.1997. 
(71) Заявитель(и): Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) 
(72) Автор(ы): Кожитов Л.В.; Вяткин А.Ф.; Кондратенко Т.Я.; Пархоменко Ю.Н. 
(73) Патентообладатель(и): Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) 
Адрес для переписки: 117936, Москва, Ленинский пр-т, 4, МИСиС, отдел защиты интеллектуальной собственности 

(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР С Р-N ПЕРЕХОДОМ (ВАРИАНТЫ) 

Изобретение относится к области электронной техники. Предложен полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом, содержащий монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя. Согласно первому варианту металлический контакт n типа слоя выполнен в виде монокристаллического цилиндра из металла с объемноцентрированной или гранецентрированной решеткой с гранями (111) или (100), на внешней поверхности которого последовательно расположены цилиндрический монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типa слой, цилиндрический монокристаллический полупроводниковый n типа слой, цилиндрический монокристаллический полупроводниковый р типа слой и цилиндрический металлический контакт р типа слоя, выполненный из двухкомпонентного сплава. Согласно второму варианту монокристаллический полупроводниковый вырожденный + типа слой выращен в виде полого цилиндра, на внутренней поверхности которого сформирован металлический контакт n типа слоя, выполненный в виде полого цилиндра, состоящего из сплава двух металлов, а на внешней поверхности которого последовательно расположены цилиндрический монокристаллический полупроводниковый n типа слой, цилиндрический монокристаллический полупроводниковый р типа слой и цилиндрический металлический контакт р типа слоя, выполненный из двухкомпонентного сплава. Согласно третьему варианту монокристаллический полупроводниковый вырожденный + типа слой выращен в виде сплошного цилиндра заданной длины, на внешней поверхности которого последовательно расположены имеющие цилиндрическую форму монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой и металлический контакт р типа слоя, выполненный из двухкомпонентного сплава, а металлический контакт n типа слоя сформирован на торцах монокристаллического полупроводникового вырожденного n+ типа слоя и выполнен из сплава двух металлов. В результате повышается мощность светового излучения и снижается уровень электротепловой деградации. 3 с. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил. 


ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ



Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых инжекционных лазеров с р-n гомо- и гетеропереходами, и может быть использовано в оптоэлектронике, системах записи, считывания, обработки информации, при производстве переносных переговорных устройств и других.

Известен аналог всех вариантов изобретения полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом плоской структуры (Н.Г. Басов "Полупроводниковые квантовые генераторы", УФН, Сов. Энциклопедия, 1965, т. 85, вып.4, с. 585-595).

Недостатками указанных лазеров плоской структуры являются ограничение уровня выходной мощности лазера величиной 1 Вт и ограниченный ресурс работы.

Наиболее близким аналогом (прототипом) всех вариантов изобретения является полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом, содержащий монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+типa слой (подложку), монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя. В качестве материалов при изготовлении полупроводниковых слоев используются, как правило, GaAs, или GaP, или GaAsP (Ж.И. Алферов "Инжекционные гетеролазеры", сборник "Полупроводниковые приборы и их применение" под ред. А.Я. Федотова, М., вып.25, 1971, с.204-205).

Недостатками указанных лазеров плоской структуры являются малый уровень излучающей мощности, малый уровень КПД, электротепловая деградация при эксплуатации и недостаточный уровень надежности.

Задачей, на решение которой направлено изобретение по первому варианту, является производство полупроводниковых инжекционных лазеров с р-n переходом, обладающих более высоким значением выходной мощности светового излучения как в импульсном, так и в непрерывном режимах при заданных показателях надежности.

Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении первого варианта изобретения, являются повышение мощности светового излучения и снижение уровня электротепловой деградации.

Указанные технические результаты по первому варианту изобретения достигаются следующим.

Полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом содержит монокристаллический полупроводниковый вырожденный + типа слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя.

Отличие лазера состоит в том, что металлический контакт n типа слоя выполнен в виде монокристаллического цилиндра из металла с объемноцентрированной или гранецентрированной решеткой с гранями (111) или (100), на внешней поверхности которого последовательно расположены цилиндрический монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+типа слой, цилиндрический монокристаллический полупроводниковый n типа слой, цилиндрический монокристаллический полупроводниковый р типа слой и цилиндрический металлический контакт р типа слоя, выполненный из двухкомпонентного сплава.

В конкретных формах выполнения лазера металлический контакт n типа слоя выполнен из металлов: молибдена, или вольфрама, или ниобия и других металлов, а металлический контакт р типа слоя выполнен из двухкомпонентного сплава следующих элементов: золота, никеля, германия и других.

Также в конкретных формах выполнения лазера цилиндрический монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+типa слой выполнен из GaAs.

В частных случаях выполнения лазера цилиндрические монокристаллические полупроводниковые слои р и n типа могут быть выполнены из одного и того же полупроводникового материала: GaAs, или AlGaAs, или GaN, или InGaN, или AlGaN и других.

Также в частных случаях выполнения лазера цилиндрические монокристаллические полупроводниковые слои р и n типа могут быть выполнены из разных полупроводниковых материалов: GaAs, или AlGaAs, или GaN, или InGaN, или AlGaN и других.

Задачей, на решение которой направлено изобретение по второму варианту, является производство полупроводниковых инжекционных лазеров с р-n переходом, обладающих более высоким значением выходной мощности светового излучения как в импульсном, так и в непрерывном режимах при заданных показателях надежности.

Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении второго варианта изобретения, являются повышение мощности светового излучения и снижение уровня электротепловой деградации.

Указанные технические результаты по второму варианту изобретения достигаются следующим.

Полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом содержит монокристаллический полупроводниковый вырожденный +типа слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя.

Отличие лазера состоит в том, что монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+типа слой выращен в виде полого цилиндра, на внутренней поверхности которого сформирован металлический контакт n типа слоя, выполненный в виде полого цилиндра, состоящего из сплава двух металлов, а на внешней поверхности которого последовательно расположены цилиндрический монокристаллический полупроводниковый n типа слой, цилиндрический монокристаллический полупроводниковый р типа слой и цилиндрический металлический контакт р типа слоя, выполненный из двухкомпонентного сплава.

В конкретных формах выполнения лазера металлический контакт n типа слоя выполнен из сплава двух металлов: золота, или алюминия, или титана, или хрома и других металлов, а металлический контакт р типа слоя выполнен из двухкомпонентного сплава следующих элементов: золота, никеля, германия и других.

Также в конкретных формах выполнения лазера цилиндрический монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+типa слой выполнен из GaAs.

В частных случаях выполнения лазера цилиндрические монокристаллические полупроводниковые слои р и n типа могут быть выполнены из одного и того же полупроводникового материала: GaAs, или AlGaAs, или GaN, или InGaN, или AlGaN и других.

Также в частных случаях выполнения лазера цилиндрические монокристаллические полупроводниковые слои р и n типа могут быть выполнены из разных полупроводниковых материалов: GaAs, или AlGaAs, или GaN, или InGaN, или AlGaN и других.

Задачей, на решение которой направлено изобретение по третьему варианту, является производство полупроводниковых инжекционных лазеров с р-n переходом, обладающих более высоким значением выходной мощности светового излучения как в импульсном, так и в непрерывном режимах при заданных показателях надежности.

Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении третьего варианта изобретения, являются повышение мощности светового излучения и снижение уровня электротепловой деградации.

Указанные технические результаты по третьему варианту изобретения достигаются следующим.

Полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом содержит монокристаллический полупроводниковый вырожденный +типа слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя.

Отличие лазера состоит в том, что монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+типа слой, выращен в виде сплошного цилиндра заданной длины, на внешней поверхности которого последовательно расположены имеющие цилиндрическую форму монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой и металлический контакт р типа слоя, выполненный из двухкомпонентного сплава, а металлический контакт n типа слоя сформирован на торцах монокристаллического полупроводникового вырожденного n+типа слоя и выполнен из сплава двух металлов.

В конкретных формах выполнения лазера металлический контакт n типа слоя выполнен из сплава двух металлов: золота, или алюминия, или титана, или хрома и других металлов, а металлический контакт р типа слоя выполнен из двухкомпонентного сплава следующих элементов: золота, никеля, германия и других.

Также в конкретных формах выполнения лазера цилиндрический монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+типа слой выполнен из GaAs.

В частных случаях выполнения лазера цилиндрические монокристаллические полупроводниковые слои р и n типа могут быть выполнены из одного и того же полупроводникового материала: GaAs, или AlGaAs, или GaN, или InGaN, или AlGaN и других.

Также в частных случаях выполнения лазера цилиндрические монокристаллические полупроводниковые слои р и n типа могут быть выполнены из разных полупроводниковых материалов: GaAs, или AlGaAs, или GaN, или InGaN, или AlGaN и других.

Изобретение поясняется чертежом, где изображено: на фиг.1 - пример конструкции лазера по первому варианту изобретения, на фиг.2 - пример конструкции лазера по второму варианту изобретения, на фиг.3 - пример конструкции лазера по третьему варианту изобретения.

Полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом по первому варианту изобретения (фиг.1) содержит следующие конструктивные элементы.

Металлический контакт 1 n типа слоя выполнен в виде монокристаллического цилиндра из металла с объемноцентрированной или гранецентрированной решеткой с гранями (111) или (100). Контакт 1 может быть выполнен из металлов: молибдена, или вольфрама, или ниобия и других металлов. На внешней поверхности контакта 1 расположен цилиндрический монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+типа слой 2. Слой 2 может быть выполнен из GaAs. Поверх слоя 2 расположены цилиндрический монокристаллический полупроводниковый n типа слой 3 и цилиндрический монокристаллический полупроводниковый р типа слой 4. Слои 3 и 4 могут быть выполнены из одного и того же полупроводникового материала или из разных полупроводниковых материалов. В качестве полупроводниковых материалов могут быть использованы: GaAs, или AlGaAs, или GaN, или InGaN, или AlGaN и другие. Между слоями 3 и 4 в области р-n перехода образуется активная излучающая область 5. На внешней поверхности слоя 4 расположен цилиндрический металлический контакт 6 р типа слоя, выполненный из двухкомпонентного сплава, например, следующих элементов: золота, никеля, германия и других.

Принцип действия лазера по первому варианту изобретения заключается в следующем. Между контактами 1 и 6 прикладывается напряжение в прямом направлении в режиме инжекции. При протекании электрического тока через р-n переход в его активной области 5 возбуждается и усиливается оптическое излучение, которое распространяется в пространстве. Мощность излучения в лазере достигает большого уровня за счет следующего. Цилиндрическая форма полупроводниковых слоев 3 и 4 позволяет пропускать через них электрические рабочие токи значительной величины при заданной плотности электрического рабочего тока. Равномерное распределение линий электрического рабочего тока по цилиндрической поверхности слоев 3 и 4 обуславливает уменьшение электротепловой деградации лазеров, что приводит к увеличению их долговечности.

При выполнении цилиндрических монокристаллических полупроводниковых слоев 3 и 4 n и р типа из одного и того же полупроводникового материала в структуре лазера формируется р-n гомопереход.

При выполнении цилиндрических монокристаллических полупроводниковых слоев 3 и 4 n и р типа из разных полупроводниковых материалов в структуре лазера формируется р-n гетеропереход, который по сравнению с р-n гомопереходом обладает более стабильными характеристиками оптического излучения.

Полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом по второму варианту изобретения (фиг.2) содержит следующие конструктивные элементы.

Монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+типа слой 7 выращен в виде полого цилиндра. Слой 7 может быть выполнен из GaAs. На внутренней поверхности слоя 7 сформирован металлический контакт 8 n типа слоя, выполненный в виде полого цилиндра. Контакт 8 состоит из сплава двух металлов, например: золота, или алюминия, или титана, или хрома и других металлов. На внешней поверхности слоя 7 последовательно расположены цилиндрический монокристаллический полупроводниковый n типа слой 9 и цилиндрический монокристаллический полупроводниковый р типа слой 10. Слои 9 и 10 могут быть выполнены из одного и того же полупроводникового материала или из разных полупроводниковых материалов. В качестве полупроводниковых материалов могут быть использованы: GaAs, или AlGaAs, или GaN, или InGaN, или AlGaN и другие. Между слоями 9 и 10 в области р-n перехода образуется активная излучающая область 11. На внешней поверхности слоя 10 расположен цилиндрический металлический контакт 12 р типа слоя. Контакт 12 может быть выполнен из двухкомпонентного сплава следующих элементов: золота, никеля, германия и других.

Принцип действия лазера по второму варианту изобретения заключается в следующем. Между контактами 8 и 12 прикладывается напряжение в прямом направлении в режиме инжекции. При протекании электрического тока через р-n переход в его активной области 11 возбуждается и усиливается оптическое излучение, которое распространяется в пространстве. Мощность излучения в лазере достигает большого уровня за счет следующего. Цилиндрическая форма полупроводниковых слоев 9 и 10 позволяет пропускать через них электрические рабочие токи значительной величины при заданной плотности электрического рабочего тока. Равномерное распределение линий электрического рабочего тока по цилиндрической поверхности слоев 9 и 10 обуславливает уменьшение электротепловой деградации лазеров, что приводит к увеличению их долговечности.

При выполнении цилиндрических монокристаллических полупроводниковых слоев 9 и 10 n и р типа из одного и того же полупроводникового материала в структуре лазера формируется р-n гомопереход.

При выполнении цилиндрических монокристаллических полупроводниковых слоев 9 и 10 n и р типа из разных полупроводниковых материалов в структуре лазера формируется р-n гетеропереход, который по сравнению с р-n гомопереходом обладает более стабильными характеристиками оптического излучения.

Полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом по третьему варианту изобретения (фиг.3) содержит следующие конструктивные элементы.

Монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+типa слой 13 выращен в виде сплошного цилиндра заданной длины. Слой 13 может быть выполнен из GaAs. На внешней поверхности слоя 13 последовательно расположены имеющие цилиндрическую форму монокристаллический полупроводниковый n типа слой 14 и монокристаллический полупроводниковый р типа слой 15. Слои 14 и 15 могут быть выполнены из одного и того же полупроводникового материала или из разных полупроводниковых материалов. В качестве полупроводниковых материалов могут быть использованы: GaAs, или AlGaAs, или GaN, или InGaN, или AlGaN и другие. Между слоями 14 и 15 в области р-n перехода образуется активная излучающая область 16. Поверх слоя 15 расположен цилиндрический металлический контакт 17 р типа слоя. Контакт 17 выполнен из двухкомпонентного сплава, например, следующих элементов: золота, никеля, германия и других. Металлический контакт 18 n типа слоя сформирован на торцах слоя 13. Контакт 18 выполнен из сплава двух металлов, например: золота, или алюминия, или титана, или хрома и других.

Принцип действия лазера по третьему варианту изобретения заключается в следующем. Между контактами 17 и 18 прикладывается напряжение в прямом направлении в режиме инжекции. При протекании электрического тока через р-n переход в его активной области 16 возбуждается и усиливается оптическое излучение, которое распространяется в пространстве. Мощность излучения в лазере достигает большого уровня за счет следующего. Цилиндрическая форма полупроводниковых слоев 14 и 15 n и р типа позволяет пропускать через них электрические рабочие токи значительной величины при заданной плотности электрического рабочего тока. Равномерное распределение линий электрического рабочего тока по цилиндрической поверхности слоев 14 и 15 обуславливает уменьшение электротепловой деградации лазеров, что приводит к увеличению их долговечности.

При выполнении цилиндрических монокристаллических полупроводниковых слоев 14 и 15 n и р типа из одного и того же полупроводникового материала в структуре лазера формируется р-n гомопереход.

При выполнении цилиндрических монокристаллических полупроводниковых слоев 14 и 15 n и р типа из разных полупроводниковых материалов в структуре лазера формируется р-n гетеропереход, который по сравнению с р-n гомопереходом обладает более стабильными характеристиками оптического излучения. 


ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ



1. Полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом, содержащий монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя, отличающийся тем, что металлический контакт n типа слоя выполнен в виде монокристаллического цилиндра из металла с объемноцентрированной или гранецентрированной решеткой с гранями (111) или (100), на внешней поверхности которого последовательно расположены цилиндрический монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой, цилиндрический монокристаллический полупроводниковый n типа слой, цилиндрический монокристаллический полупроводниковый р типа слой и цилиндрический металлический контакт р типа слоя, выполненный из двухкомпонентного сплава.

2. Лазер по п. 1, отличающийся тем, что металлический контакт n типа слоя выполнен из одного металла, а металлический контакт р типа слоя выполнен из сплава двух металлов.

3. Лазер по п. 1, отличающийся тем, что цилиндрический монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой выполнен из GaAs.

4. Лазер по п. 1, отличающийся тем, что цилиндрические монокристаллические полупроводниковые слои р и n типа выполнены из одного и того же полупроводникового материала.

5. Лазер по п. 1, отличающийся тем, что цилиндрические монокристаллические полупроводниковые слои р и n типа выполнены из разных полупроводниковых материалов.

6. Полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом, содержащий монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типa слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя, отличающийся тем, что монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой выращен в виде полого цилиндра, на внутренней поверхности которого сформирован металлический контакт n типа слоя, выполненный в виде полого цилиндра, состоящего из сплава двух металлов, а на внешней поверхности которого последовательно расположены цилиндрический монокристаллический полупроводниковый n типа слой, цилиндрический монокристаллический полупроводниковый р типа слой и цилиндрический металлический контакт р типа слоя, выполненный из двухкомпонентного сплава.

7. Лазер по п. 6, отличающийся тем, что металлические контакты n типа слоя р типа слоя выполнены из различных сплавов двух металлов.

8. Лазер по п. 6, отличающийся тем, что цилиндрический монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+типa слой выполнен из GaAs.

9. Лазер по п. 6, отличающийся тем, что цилиндрические монокристаллические полупроводниковые слои р и n типа выполнены из одного и того же полупроводникового материала.

10. Лазер по п. 6, отличающийся тем, что цилиндрические монокристаллические полупроводниковые слои р и n типа выполнены из разных полупроводниковых материалов.

11. Полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом, содержащий монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя, отличающийся тем, что монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой выращен в виде сплошного цилиндра заданной длины, на внешней поверхности которого последовательно расположены имеющие цилиндрическую форму монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой и металлический контакт р типа слоя, выполненный из двухкомпонентного сплава, а металлический контакт n типа слоя сформирован на торцах монокристаллического полупроводникового вырожденного n+ типa слоя и выполнен из сплава двух металлов.

12. Лазер по п. 11, отличающийся тем, что металлические контакты n типа слоя и р типа слоя выполнены из различных сплавов двух металлов.

13. Лазер по п. 11, отличающийся тем, что цилиндрический монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой выполнен из GaAs.

14. Лазер по п. 11, отличающийся тем, что цилиндрические монокристаллические полупроводниковые слои р и n типа выполнены из одного и того же полупроводникового материала.

15. Лазер по п. 11, отличающийся тем, что цилиндрические монокристаллические полупроводниковые слои р и n типа выполнены из разных полупроводниковых материалов.


ПРОЧИТАТЬ НУЖНО ВСЕМ !
Судьба пионерских изобретений и научных разработок, которым нет и не будет аналогов на планете еще лет сорок, разве что у инопланетян



Независимый научно технический портал

Подборка патентов изобретений и технологий относящихся к лазерным квантовым генераторам, а именно лазеры и лазерное оборудование:

- твердотельные полупроводниковые лазеры

- газовые лазеры

- химические лазеры

- практическое применение в промышленности, науке и в быту газовых, твердотельных и химических лазеров.


Лазеры. Лазерное оборудование






СОВЕРШЕННО БЕСПЛАТНО!
Вам нужна ПОЛНАЯ ВЕРСИЯ данного патента? Сообщите об этом администрации портала. В сообщении обязательно укажите ссылку на данную страницу.


ПОИСК ИНФОРМАЦИИ В БАЗЕ ДАННЫХ


Режим поиска:"и" "или"

Инструкция. Ключевые слова в поле ввода разделяются пробелом или запятой. Регистр не имеет значения.

Режим поиска "И" означает, что будут найдены только те страници, где встречается каждое из ключевых слов. При использовании режима "или" результатом поиска будут все страници, где встречается хотя бы одно ключевое слово.

В любом режиме знак "+" перед ключевым словом означает, что данное ключевое слово должно присутствовать в найденных файлах. Если вы хотите исключить какое-либо слово из поиска, поставьте перед ним знак "-". Например: "+газовый -лазер".

Поиск выдает все данные, где встречается введенное Вами слово. Например, при запросе "лазер" будут найдены слова "лазеры", "лазерный" и другие. Восклицательный знак после ключевого слова означает, что будут найдены только слова точно соответствующие запросу ("лазер!").



Рейтинг@Mail.ru