ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР


RU (11) 2194347 (13) C2

(51) 7 H01S5/00 

(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ 
Статус: по данным на 25.10.2007 - действует 

--------------------------------------------------------------------------------

(21) Заявка: 2000103643/28 
(22) Дата подачи заявки: 2000.02.17 
(24) Дата начала отсчета срока действия патента: 2000.02.17 
(45) Опубликовано: 2002.12.10 
(56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: JP 1084772 А, 30.03.1989. RU 2019013 C1, 30.08.1994. JP 10256648 A, 25.09.1998. JP 58015287 A, 28.01.1983. JP 11261164 A, 24.09.1999. 
(71) Заявитель(и): Борисов Владимир Захарович 
(72) Автор(ы): Борисов В.З. 
(73) Патентообладатель(и): Борисов Владимир Захарович 
Адрес для переписки: 248016, г.Калуга, ул.М.Горького, 8, кв.51, В.З.Борисову 

(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР 

Изобретение относится к области полупроводниковой квантовой техники, а именно к полупроводниковым лазерам. Предложен полупроводниковый лазер, содержащий лазерный диод с контактными пластинами, формирователь импульсов тока, закрепленные в полом корпусе с крышкой с оптическим стеклом, а также выводы. При этом корпус снабжен пазами, в которых закреплена керамическая плата формирователя импульсов тока перпендикулярно оси полупроводникового лазера, в центре наружной стороны платы прикреплен лазерный диод на две контактные пластины, а на внутренней стороне платы расположены элементы формирователя импульсов тока. Соотношение высот корпуса полупроводникового лазера и его крышки составляет 2:1, низ корпуса закрывает диэлектрическая пластина с выводами. В результате достигается упрощение конструкции полупроводникового лазера, улучшение отвода тепла от лазерного диода за счет расположения лазерного диода в центре наружной стороны формирователя импульсов тока и крепления его на две контактные пластины, снижение материалоемкости. 2 ил. 


ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ



Изобретение относится к области полупроводниковой квантовой техники, а именно к полупроводниковым лазерам, используемым в различных отраслях народного хозяйства.

Известен оптический передающий модуль, который представляет собой монолитный блок, содержащий контактную пластину с лазерным диодом и фотодиодом, плату с входным концом световода, размещенные на уголке, при этом они дополнительно соединены друг с другом. Отвод тепла происходит через одну пластину, что затрудняет отвод тепла от лазерного диода (патент России 2019013, Н 01 S 3/025, 1994 г.).

Наиболее известная конструкция полупроводникового лазера, принятая за прототип, содержит полый корпус с крышкой, где установлен основной лазерный диод на одну контактную пластину, закрепленный на теплоотвод параллельно оси лазера, диод, выполняющий функцию термочувствительного элемента к излучению основного лазерного диода, за пределами корпуса полупроводникового лазера располагается формирователь импульсов тока. Контактная пластина охватывает две стороны лазерного диода, но крепится только к одной стороне, что приводит к затрудненному отводу тепла от лазерного диода (заявка Японии 1084772, МПК Н 01 S 3/18, 1989 г.).

Всем указанным известным техническим решениям присущ общий недостаток, заключающийся в сложности конструкции полупроводникового лазера и обязательном наличии мощного теплоотвода из-за одностороннего отвода тепла.

В основу изобретения положено решение задачи:

упрощение конструкции полупроводникового лазера, улучшение отвода тепла от лазерного диода за счет расположения лазерного диода в центре наружной стороны формирователя импульсов тока и крепления его на две контактные пластины, снижение материалоемкости.

Это достигается тем, что в полупроводниковом лазере, содержащем лазерный диод с контактными пластинами, формирователь импульсов тока, закрепленные в полом корпусе с крышкой с оптическим стеклом, а также выводы, корпус снабжен пазами, в которых закреплена керамическая плата формирователя импульсов тока перпендикулярно оси полупроводникового лазера, в центре наружной стороны платы прикреплен лазерный диод на две контактные пластины, а на внутренней стороне платы расположены элементы формирователя импульсов тока, при этом соотношение высот корпуса полупроводникового лазера и его крышки составляет 2:1, низ корпуса закрывает диэлектрическая пластина с выводами.

Выполнение корпуса полупроводникового лазера полым и изготовление крышки с меньшей высотой в соотношении 2:1 приводит к снижению материалоемкости. При этом корпус может быть выполнен в виде кольца или стакана. Указанное расположение лазерного диода и керамической платы формирователя импульсов тока позволяет использовать керамическую плату в качестве теплоотвода и держателя лазерного диода с повышением эффективности теплоотвода и упрощением конструкции.

На фиг.1 показан полупроводниковый лазер с корпусом в виде кольца, общий вид. На фиг. 2 изображен полупроводниковый лазер с корпусом в виде стакана, общий вид.

Полупроводниковый лазер состоит из корпуса 1, выполненного в виде полого тела, снабженного пазами 2. В пазы 2 крепится керамическая плата 3 формирователя импульсов тока. В центре наружной стороны керамической платы 3 формирователя импульсов тока прикреплен лазерный диод 4 на контактные пластины 5. На внутренней стороне керамической платы 3 формирователя импульсов тока расположены элементы формирователя импульсов тока. Внизу корпуса 1 вставляется диэлектрическая пластина 6 с выводами 7. Корпус 1 полупроводникового лазера снабжен крышкой 8 с оптическим стеклом 9. При выполнении корпуса 1 в виде стакана вывода 7 впаяны в дно корпуса 1.

Полупроводниковый лазер работает следующим образом.

Через выводы на формирователь импульсов тока поступает напряжение и импульс запуска. Формирователь импульсов тока формирует импульсы тока накачки для лазерного диода 4, которые поступают к нему через проводники. Лазерный диод 4 испускает импульс излучения вдоль оси прибора через оптическое стекло 9. При работе лазерного диода 4 выделяется тепло, которое отводится через две контактные пластины 5, что увеличивает отвод тепла в 2 раза по сравнению с прототипом.

Таким образом, создан дешевый полупроводниковый лазер с улучшенным теплоотводом со следующими основными характеристиками:

- напряжение питания (постоянное) - 20 В;

- ток потребления - не более 12 мА;

- максимальная частота следования импульсов - 5 кГц;

- длина волны - 0,85 нм;

- импульсная мощность излучения - не менее 5 Вт. 


ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ



Полупроводниковый лазер, содержащий лазерный диод с контактными пластинами, формирователь импульсов тока, закрепленные в полом корпусе с крышкой с оптическим стеклом, а также выводы, отличающийся тем, что корпус снабжен пазами, в которых закреплена керамическая плата формирователя импульсов тока перпендикулярно оси полупроводникового лазера, в центре наружной стороны платы прикреплен лазерный диод на две контактные пластины, а на внутренней стороне платы расположены элементы формирователя импульсов тока, при этом соотношение высот корпуса полупроводникового лазера и его крышки составляет 2:1, низ корпуса закрывает диэлектрическая пластина с выводами.


ПРОЧИТАТЬ НУЖНО ВСЕМ !
Судьба пионерских изобретений и научных разработок, которым нет и не будет аналогов на планете еще лет сорок, разве что у инопланетян



Независимый научно технический портал

Подборка патентов изобретений и технологий относящихся к лазерным квантовым генераторам, а именно лазеры и лазерное оборудование:

- твердотельные полупроводниковые лазеры

- газовые лазеры

- химические лазеры

- практическое применение в промышленности, науке и в быту газовых, твердотельных и химических лазеров.


Лазеры. Лазерное оборудование






СОВЕРШЕННО БЕСПЛАТНО!
Вам нужна ПОЛНАЯ ВЕРСИЯ данного патента? Сообщите об этом администрации портала. В сообщении обязательно укажите ссылку на данную страницу.


ПОИСК ИНФОРМАЦИИ В БАЗЕ ДАННЫХ


Режим поиска:"и" "или"

Инструкция. Ключевые слова в поле ввода разделяются пробелом или запятой. Регистр не имеет значения.

Режим поиска "И" означает, что будут найдены только те страници, где встречается каждое из ключевых слов. При использовании режима "или" результатом поиска будут все страници, где встречается хотя бы одно ключевое слово.

В любом режиме знак "+" перед ключевым словом означает, что данное ключевое слово должно присутствовать в найденных файлах. Если вы хотите исключить какое-либо слово из поиска, поставьте перед ним знак "-". Например: "+газовый -лазер".

Поиск выдает все данные, где встречается введенное Вами слово. Например, при запросе "лазер" будут найдены слова "лазеры", "лазерный" и другие. Восклицательный знак после ключевого слова означает, что будут найдены только слова точно соответствующие запросу ("лазер!").



Рейтинг@Mail.ru