ХАЛЬГОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО

ХАЛЬГОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО


RU (11) 2013396 (13) C1

(51) 5 C03C3/32 

(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ 
Статус: по данным на 17.10.2007 - прекратил действие 

--------------------------------------------------------------------------------

(14) Дата публикации: 1994.05.30 
(21) Регистрационный номер заявки: 5002782/33 
(22) Дата подачи заявки: 1991.07.25 
(45) Опубликовано: 1994.05.30 
(71) Имя заявителя: Щепочкина Юлия Алексеевна 
(72) Имя изобретателя: Щепочкина Юлия Алексеевна 
(73) Имя патентообладателя: Щепочкина Юлия Алексеевна 

(54) ХАЛЬГОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО 
Использование: в электронике. Сущность изобретения: халькогенидное стекло содержит, мас. % : теллур 65 - 70, таллий 10 - 15, мышьяк 2 - 5, индий 12 - 15, бор 2 - 3. Стекло имеет запрещенную зону 0,15 - 0,2 эВ. 1 табл. 


ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ


Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых, преимущественно в электронике.
Известно халькогенидное стекло, содержащее следующие ингредиенты, мас. % : Te 40-80; As 20-60.
Известно халькогенидное стекло, содержащее следующие ингредиенты, мас. % : Te 44-64; Tl 30-50; As 1-12. Запрещенная зона такого стекла составляет 0,3-0,57 эВ.
Цель изобретения - уменьшение запрещенной зоны.
Это достигается тем, что в состав стекла дополнительно вводят In и В при следующем соотношении ингредиентов, мас. % : Te 65-70; Tl 10-15; As 2-5; In 12-15; В 2-3.
В таблице приведены конкретные составы халькогенидного стекла и величина запрещенной зоны.
Предложенное стекло получают в электропечи при температуре 1000оС. В остальном технология получения предложенного стекла та же, что и известного. 


ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ


ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО, включающее Te, Tl, As, отличающееся тем, что, с целью уменьшения запрещенной зоны, оно дополнительно содержит In и B при следующем соотношении компонентов, мас. % :

Te 65 - 70

Tl 10 - 15

As 2 - 5

In 12 - 15

B 2 - 3