ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО
(51) МПК
C03C 3/32 (2006.01)
(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Статус: по данным на 07.02.2008 - нет данных
--------------------------------------------------------------------------------
На основании пункта 3 статьи 13 Патентного закона Российской Федерации от 23 сентября 1992 г. № 3517-I патентообладатель обязуется передать исключительное право на изобретение (уступить патент) на условиях, соответствующих установившейся практике, лицу, первому изъявившему такое желание и уведомившему об этом патентообладателя и федеральный орган исполнительной власти по интеллектуальной собственности, - гражданину РФ или российскому юридическому лицу.
--------------------------------------------------------------------------------
Документ: В формате PDF
(21) Заявка: 2006130174/03
(22) Дата подачи заявки: 2006.08.21
(24) Дата начала отсчета срока действия патента: 2006.08.21
(45) Опубликовано: 2008.02.10
(56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: SU 1135726 А, 23.01.1985. RU 2237029 С2, 27.09.2004. RU 2186744 С1, 10.08.2002. SU 1715725 A1, 29.02.1992. JP 2006-76845 А, 23.03.2006.
(72) Автор(ы): Щепочкина Юлия Алексеевна (RU)
(73) Патентообладатель(и): Щепочкина Юлия Алексеевна (RU)
Адрес для переписки: 153000, г.Иваново, ул. Варенцовой, 17/1, кв.7, Ю.А.Щепочкиной
(54) ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике. Халькогенидное стекло содержит GeS 2, NaCl, Ga2S3 и дополнительно In2S3 и GaAs при следующем соотношении компонентов, мас.%: GeS 2 35,0-45,0, NaCl 10,0-15,0, Ga2S 3 15,0-25,0, In2S 3 15,0-25,0, GaAs 5,0-10,0. Технический результат - повышение термической устойчивости халькогенидного стекла. 1 табл.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике.
Известно халькогенидное стекло состава, мас.%: GeS2 55,0-75,0; NaCl 10,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0 /1/.
Целью изобретения является повышение термической устойчивости халькогенидного стекла.
Цель достигается тем, что в состав стекла, содержащего GeS2, NaCl, Ga 2S3, дополнительно вводят In 2S3 и GaAs, при следующем соотношении, мас.%: GeS2 35,0-45,0; NaCl 10,0-15,0; Ga2S3 15,0-25,0; In2S3 15,0-25,0; GaAs 5,0-10,0.
В таблице приведены составы стекла.
Таблица
Состав Компоненты, мас %: Сохранение твердого состояния до температуры, °С
GeS2 NaCl Ga 2S3 In 2S3 GaAs
1 35,0 15,0 25,0 15,0 10,0 450-500
2 40,0 13,0 20,0 20,0 7,0 450-500
3 45,0 10,0 15,0 25,0 5,0 450-500
Халькогенидное стекло получают при медленном подъеме температуры до 1000-1100°С в герметичных вакуумированных сосудах.
Источники информации
1. Авторское свидетельство СССР №1135726, С03С 3/12, 1985.
ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
Халькогенидное стекло, содержащее GeS2 , NaCl, Ga2S3, отличающееся тем, что дополнительно содержит In2S 3 и GaAs, при следующем соотношении компонентов, мас.%:
GeS2 35,0-45,0
NaCl 10,0-15,0
Ga2 S3 15,0-25,0
In2S 3 15,0-25,0
GaAs 5,0-10,0