Электронные компоненты

Изобретение относится к монолитным интегральным схемам, работающим в миллиметровом диапазоне длин волн, и предназначено для использования в телекоммуникационных и радиолокационных системах. Изобретение позволяет исключить изменение параметров монолитной схемы, содержащей копланарные линии передач на входе и выходе, при монтаже и упростить сам процесс монтажа кристалла. Отличительной особенностью монолитной интегральной схемы миллиметрового диапазона длин волн, выполненной на полуизолирующей подложке и содержащей копланарные линии передачи для ввода и вывода энергии, является то, что металлизация копланарных линий выведена за пределы кристалла. При монтаже монолитной интегральной схемы выступающую за пределы кристалла металлизацию накладывают на металлизацию копланарных линий передач и производят их соединение. При этом на входе и выходе схемы реализуются максимально согласованные переходы с одной линии на другую. Данная конструкция позволяет производить измерение СВЧ-параметров созданных монолитных схем, на пластине еще до разделения на кристаллы, причем результаты измерений будут соответствовать данным для смонтированного в устройство кристалла.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам с биполярной структурой, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла. Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор, содержащий кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов, отличается расположением областей эмиттера и коллекторов. Области эмиттера и коллекторов располагаются в области базы на расстоянии друг от друга вдоль границы pn-перехода база-карман с низкой скоростью поверхностной рекомбинации, контакты к карману располагаются в кармане около границы pn-перехода база-карман напротив коллекторов, контакты к базе располагаются между эмиттером и коллекторами, контакты к карману соединены металлизацией с контактами к базе. Разница токов коллекторов в магнитном поле соответствует измеряемой составляющей вектора магнитной индукции параллельной поверхности кристалла. 

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к микропроцессорам. Техническим результатом является повышение производительности микропроцессора за счет обеспечения возможности подключения к неограниченному числу системных шин и проведения операции обмена по ним одновременно в параллельном режиме. Микропроцессор содержит блок выполнения команд и блок интерфейса, имеющий выводы для подключения к системной шине, введены дополнительные блоки интерфейса, идентичные существующему, и блок выбора системной шины, управляющий работой блоков интерфейса.

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для экранирования интегральных схем и других магниточувствительных устройств. Техническим результатом изобретения является повышение качества магнитного экрана, снижение шумов, остаточных магнитных полей. Сущность изобретения: корпус-экран магнитного поля для микросхемы содержит экранирующее пленочное покрытие, нанесенное на поверхность крышки и основания корпуса, которое выполнено из высокотемпературного сверхпроводникового материала, содержит окна в местах выхода выводов корпуса, а контакт между основанием и крышкой корпуса является сверхпроводящим с характеристиками сплошного ВТСП покрытия.

Изобретение относится к электротехнике, в частности к катушкам индуктивности, используемым при создании различных электронных схем. Технический результат состоит в обеспечении возможности плавного электронного управления величиной индуктивности пассивной катушки посредством введения в ее конструкцию сердечника, свойства которого изменяются под воздействием приложенного электрического поля, оказывая при этом влияние на величину индуктивности. Регулируемая катушка индуктивности содержит сердечник с основной обмоткой, электроды, соединенные с сердечником, и цепь управления. В качестве сердечника выбрана кремниевая структура, имеющая, по крайней мере, по одной р-, i-, n-области. Электроды выполнены из немагнитного материала. Цепь управления содержит регулируемый источник питания, электрически соединенный с электродами, которые подключены соответственно к р- и n-областям структуры. Обмотка размещена на i-области, протяженность которой сравнима с диаметром провода обмотки. 

Конденсатор электрический Б.Н. Игнатова - А.Б. Бережного, содержащий обкладки, разделяющий слой диэлектрика и токоотводы, отличающийся тем, что обкладки выполнены в форме перфорированного листа Мебиуса.

Предлагаемое изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Это датчики величины и направления магнитного поля, способные производить преобразование индукции магнитного поля в электрический сигнал, которые находят все большее применение в интегральной электронике и микросистемной технике благодаря возможности их объединения с остальными компонентами микросистем методами микроэлектроники.