Загрузка. Пожалуйста, подождите...

Независимый научно-технический портал

RSS Моб. версия Реклама
Главная О портале Регистрация
Независимый Научно-Технический Портал NTPO.COM приветствует Вас - Гость!
  • Организации
  • Форум
  • Разместить статью
  • Возможен вход через:
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
Монолитная интегральная схема миллиметрового диапазона длин волн
Изобретения Российской Федерации » Электроника и электротехника » Электронные компоненты
Монолитная интегральная схема миллиметрового диапазона длин волн Изобретение относится к монолитным интегральным схемам, работающим в миллиметровом диапазоне длин волн, и предназначено для использования в телекоммуникационных и радиолокационных системах. Изобретение позволяет исключить изменение параметров монолитной схемы, содержащей копланарные линии передач на входе и выходе, при монтаже и упростить сам процесс монтажа кристалла. Отличительной особенностью монолитной интегральной схемы миллиметрового диапазона длин волн, выполненной на полуизолирующей...
читать полностью


» Инвестиции в инновации
Добавить в избранное
Мне нравится 0


Сегодня читали статью (1)
Пользователи :(0)
Пусто

Гости :(1)
0
Добавить эту страницу в свои закладки на сайте »

Способ изготовления матричного фотоприемника


Отзыв на форуме  Оставить комментарий

ИЗОБРЕТЕНИЕ
Заявка на изобретение RU2014141992/28, 20.10.2014

ИЗОБРЕТЕНИЕ
Патент Российской Федерации RU2573714

Область деятельности(техники), к которой относится описываемое изобретение

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Изготовление матричного фотоприемника (МФП) из объемного материала требует утоньшения базовой области (фоточувствительного слоя) матричного фоточувствительного элемента (МФЧЭ) (типично до толщины 8÷12 мкм). Известен способ изготовления МФП [патент на изобретение РФ 2460174], принятый за аналог, заключающийся в том, что утоньшение базовой области фоточувствительного элемента проводят после гибридизации отдельно вырезанных матричного фоточувствительного элемента и БИС считывания. Процесс утоньшения включает безабразивную химико-механическую полировку (БХМП) с использованием сферического полировального диска для получения заданной вогнутости поверхности до толщины базовой области фоточувствительного элемента (типично 80÷100 мкм) и химико-динамическую полировку (ХДП) до конечной толщины, при которой происходит компенсация вогнутости полученной на стадии БХМП с формированием неплоскостности поверхности при размере МФП порядка 10 мм не хуже ±2 мкм.

Однако, в известном способе изготовления МФП не описано, каким образом можно добиться качественных границ фоточувствительного элемента и хорошей воспроизводимости его размеров после утоньшения.

Прототипом предложенного изобретения принят метод утоньшения кристалла для получения улучшенного выхода годных приборов и повышения надежности [US Patent 6465344]. В этом изобретении представлены методы для формирования кристалла, которые приводят к минимальному краевому и поверхностному повреждению. Кристалл, сформированный этими методами, менее чувствителен к растрескиванию и разламыванию. Неровные края фоточувствительного элемента могут привести к образованию сколов, из которых в дальнейшем могут образовываться трещины. Это особенно критично в случае полупроводниковых материалов, работающих при температурах жидкого азота (InSb, KPT), которые постоянно подвергаются деформации вследствие термоциклов. Также немаловажно получение воспроизводимых размеров фоточувствительного слоя. Таким образом, существенно улучшается выход годных и характеристики устройств, изготовленных с помощью кристалла, сформированного этими методами. Для того чтобы создать кристалл, в подложке вокруг периферийного края кристалла формируются углубления процессами, которые вызывают только минимальное повреждение краев кристалла. Подложка разрезается через углубления в секциях, содержащих кристалл без соприкосновения с краем кристалла. Секции затем монтируются на держатель и утоньшаются для производства кристалла.

Далее изложение сопровождается ссылками на чертеж:

фиг. 1 - изображение матричного кристалла из антимонида индия с шагом 30 мкм и индиевыми микроконтактами, сформированными на Ni площадках с окнами в защитном диэлектрике после операции нанесения фоторезиста марки SP-16 толщиной 3 мкм на матричный кристалл с изготовленными индиевыми микроконтактами;

rnrnrnrnrnrnrnrnrn

фиг. 2 - изображение матричного кристалла из антимонида индия с шагом 30 мкм и индиевыми микроконтактами, сформированными на Ni площадках с окнами в защитном диэлектрике после операции контактной фотолитографии для вскрытия области углубления и ее жидкостного химического травления;

фиг. 3 - изображение матричного кристалла из антимонида индия с шагом 30 мкм и индиевыми микроконтактами, сформированными на Ni площадках с окнами в защитном диэлектрике после отмывки от фоторезиста;

фиг. 4 - этап формирования канавки - изображение матричного кристалла из антимонида индия после травления индиевых микроконтактов, не снимая нижний защитный и верхний фоторезисты, нанесенные на защитные диэлектрики (для полупроводникового материала из InSb обычно используются SiO и анодный окисел);

фиг. 5 - этап формирования канавки - изображение матричного кристалла из антимонида индия после напыления тонкой пленки SiO (типично 1000Å);

фиг. 6 - этап формирования канавки - изображение матричного кристалла из антимонида индия после фотолитографии по SiO с помощью прямоугольного фотошаблона, открывающего место под углубление;

фиг. 7 - этап формирования канавки - изображение матричного кристалла из антимонида индия после плазмохимического травления SiO в месте углубления и жидкостного химического травления непосредственно углубления на требуемую величину (типично 8÷12 мкм);

фиг. 8 - этап формирования канавки - изображение изготовленного фоточувствительного элемента с канавкой после удаления фоторезиста, плазмохимического стравливания оставшейся пленки SiO и удаления остатков фоторезиста;

фиг. 9 - изображение матричного кристалла с шагом 20 мкм и изготовленными индиевыми микроконтактами после операции нанесения фоторезиста марки SP-16 толщиной 3 мкм и пленки SiO толщиной 1000Å;

фиг. 10 - изображение матричного кристалла с шагом 20 мкм и изготовленными индиевыми микроконтактами после операции фотолитографии для вскрытия области углубления, ее жидкостного химического травления и отмывки от фоторезиста;

фиг. 11 - фото матричного фотоприемника без использования канавки в качестве сравнения границ МФЧЭ без использования канавки;

rnrnrnrnrnrnrnrnrn

фиг. 12 - фото окончательного результата изготовления матричного фотоприемника с использованием канавки.

На чертежах обозначены:

1 - изготовленные индиевые микроконтакты на кристалле.

2 - Ni площадки на кристалле.

3 - окна в защитном диэлектрике.

4 - результаты травления через поры в нанесенной пленке фоторезиста.

5 - нижний защитный и верхний фоторезисты.

6 - защитный диэлектрик (для полупроводникового материала из InSb обычно используется SiO).

7 - защитный диэлектрик (для полупроводникового материала из InSb обычно используется анодный окисел).

8 - тонкая пленка SiO (типично 1000Å).

9 - место углубления.

10 - непосредственно углубление.

11 - схематичное изображение изготовленного фоточувствительного элемента с канавкой.

Однако в способе изготовления МФП, взятом за прототип, не описано, каким образом формируются углубления наиболее бездефектным жидкостным химическим травлением с уже изготовленными индиевыми микроконтактами 1 на кристалле (фиг. 1). Дело в том, что стандартная форма защиты с помощью фоторезиста неэффективна из-за большой высоты индиевых микроконтактов (обычно более 5 мкм) по сравнению с толщиной применяемых фоторезистов (обычно 1-3 мкм). В результате, нанесенная пленка фоторезиста (например, с помощью центрифуги) содержит значительное количество пор 4 (фиг. 1-3), особенно на краевых выступах на вершинах индиевых микроконтактов, через которые проникает жидкостной химический травитель, используемый при формировании углублений в секциях, и стравливает индиевые микроконтакты. В качестве примера на фиг. 1-3 приведены изображения матричного кристалла из антимонида индия с шагом 30 мкм и индиевыми микроконтактами 1, сформированными на Ni площадках 2 с окнами 3 в защитном диэлектрике. Приведены изображения: после операции нанесения фоторезиста марки SP-16 толщиной 3 мкм на матричный кристалл с изготовленными индиевыми микроконтактами (фиг. 1); после операции контактной фотолитографии для вскрытия области углубления и ее жидкостного химического травления (фиг. 2), после отмывки от фоторезиста (фиг. 3). Хорошо видны стравленные части индиевых микроконтактов 4. Видно, что изотропное жидкостное химическое травление индия чаще всего начинается в углах на вершинах индиевых микроконтактов, приводя к сферическим травленным поверхностям. Особенно эта проблема усугубляется в случае формирования индиевых микроконтактов с малым шагом (20 мкм и менее).

Предложенное изобретение решает задачу утоньшения базовой области фоточувствительного элемента с получением требуемого качества и воспроизводимости границ и толщины.

rnrnrnrnrnrnrnrnrn

Технический результат в изобретении достигается тем, что на лицевой стороне фоточувствительного элемента до гибридизации протравливают канавку определенной глубины. В процессе утоньшения, когда ХДП доходит до дна канавки, вследствие заданной ширины углубления происходит резкое изменение габаритов базовой области, которое можно зафиксировать визуально. В этот момент утоньшение прекращают - полученный кристалл имеет ровные края и фиксированный размер, заданный фотошаблонами под углубление. При этом для изготовления углубления после травления индиевых микроконтактов 1, не снимая нижний защитный и верхний фоторезисты 5 (фиг. 4) нанесенные на защитные диэлектрики 6 и 7 (для полупроводникового материала из InSb обычно используются SiO и анодный окисел), напыляют тонкую пленку 8 SiO (типично 1000Å) (фиг. 5). Далее делают фотолитографию по SiO с помощью прямоугольного фотошаблона, открывающего место под углубление (фиг.6). Затем следует плазмохимическое травление SiO в месте углубления 9 и жидкостное химическое травление непосредственно углубления 10 на требуемую величину (типично 8÷12 мкм) (фиг. 7). Удаляют фоторезист, плазмохимически стравливают оставшуюся пленку SiO и удаляют остатки фоторезиста. Изобретение поясняется чертежом, где на фиг. 8 приведено схематичное изображение изготовленного фоточувствительного элемента с канавкой 11.

Предлагаемый способ был опробован на предприятии-заявителе при создании экспериментальных и опытных образцов матричных фотоприемников на основе антимонида индия (InSb). Однако предлагаемый способ применим и к другим полупроводниковым материалам. Результаты приведены на изображениях после операции нанесения фоторезиста марки SP-16 толщиной 3 мкм и пленки SiO толщиной 1000Å на матричный кристалл с шагом 20 мкм и изготовленными индиевыми микроконтактами (фиг. 9); после операции фотолитографии для вскрытия области углубления, ее жидкостного химического травления, после отмывки от фоторезиста (фиг. 10). Окончательный результат изготовления матричного фотоприемника с использованием канавки приведен на фото (фиг. 12) и в качестве сравнения границ МФЧЭ без использования канавки - на фото (фиг. 11).


Формула изобретения

1. Способ изготовления матричного фотоприемника, заключающийся в том, что при утоньшении базовой области на лицевой стороне фоточувствительного элемента протравливают канавку определенной глубины, фоточувствительный элемент гибридизируют с БИС считывания и утоньшают базовую область фоточувствительного элемента до уровня протравленной канавки, отличающийся тем, что для получения канавки заданной глубины после травления индиевых микроконтактов, не снимая нижний защитный и верхний фоторезисты, напыляют тонкую пленку SiO, делают фотолитографию по SiO с фотошаблоном, открывающим место под углубление, затем производят плазмохимическое травление SiO в месте углубления и жидкостное химическое травление непосредственно углубления на требуемую величину, удаляют фоторезист, плазмохимически стравливают оставшуюся пленку SiO и удаляют остатки фоторезиста.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для изготовления матричного фотоприемника используется полупроводниковый материал из антимонида индия.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что для получения канавки заданной глубины после травления индиевых микроконтактов, не снимая нижний защитный и верхний фоторезисты, напыляют пленку SiO толщиной 1000Å.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что на лицевой стороне фоточувствительного элемента протравливают канавку глубиной 8÷12 мкм.

Имя изобретателя: Власов Павел Валентинович (RU), Лопухин Алексей Алексеевич (RU), Киселева Лариса Васильевна (RU), Савостин Александр Викторович (RU), Ерошенков Владимир Владимирович (RU), Кожаринова Елена Анатольевна (RU), Умникова Елена Васильевна (RU)
Имя патентообладателя: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик-Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Почтовый адрес для переписки: 111538, Москва, ул.Косинская, 9, АО "НПО "Орион", Зам. генерального директора по инновациям и науке И.Д. Бурлакову
Дата начала отсчета действия патента: 20.10.2014

Разместил статью: miha111
Дата публикации:  15-02-2016, 11:48

html-cсылка на публикацию
⇩ Разместил статью ⇩

avatar

Имя не указано

 Его публикации 


Нужна регистрация

Отправить сообщение
BB-cсылка на публикацию
Прямая ссылка на публикацию
Огромное Спасибо за Ваш вклад в развитие отечественной науки и техники!

Способ и система gsm безопасности и соответствующие устройства
Изобретение относится к области технологий мобильной связи. Технический результат изобретения заключается в повышении безопасности системы GSM, тем самым расширяя применение некоторых служб, включающих систему публичного оповещения PWS, в системе GSM. Способ содержит этапы: получение сетевым объектом ключа целостности сети путем принятия корневого ключа сети, сгенерированного в процессе односторонней аутентификации с мобильной станцией (MS); защиту сообщения запуска безопасности путем принятия...

Интернет аукцион Нумиланд
Интернет аукцион Нумиланд...








 

Оставьте свой комментарий на сайте

Имя:*
E-Mail:
Комментарий (комментарии с ссылками не публикуются):

Ваш логин:

Вопрос: магнит или могнит?
Ответ:*
⇩ Информационный блок ⇩

Что ищешь?
⇩ Реклама ⇩
Loading...
⇩ Категории-Меню ⇩
  • Водоочистка
  • Альтернативные и нетрадиционные источники энергии
  • Инновационные решения в топливной энергетике
  • Инновационные решения в двигателестроении
  • Инновации в решении экологических проблем
  • Инновационные решения в медицине
    • Инструментальные психотехнологии Чаусовского
  • Инновационные решения в сельском хозяйстве
  • Инновационные решения в машиностроении
  • Котельное оборудование
  • Инновационные решения в электронике и электротехни
  • Инновационные решения в стройиндустрии
  • Инновационные решения в автомобилестроении
  • Летательные аппараты
⇩ Интересное ⇩
Чешские газовые плиты Mora - инновации в каждый дом

Чешские газовые плиты Mora - инновации в каждый дом Чешские газовые плиты Mora - инновации в каждый дом
читать статью
Инвестиции в инновации
Магнетрон

Магнетрон Изобретение относится к магнетронам. Катод магнетрона, содержащего радиальное удлинение для размещения клемм 6, 7 катода, опирается на значительно…
читать статью
Инвестиции в инновации
Добавка для модификации гипсовых вяжущих, строительных растворов и бетонов на их основе

Добавка для модификации гипсовых вяжущих, строительных растворов   и бетонов на их основе Изобретение относится к области строительных материалов, а именно к добавке для гипсовых вяжущих, сухих строительных смесей, растворов и бетонов на…
читать статью
Инвестиции в инновации
Электронный свч прибор

Электронный свч прибор Изобретение относится к области электронный СВЧ техники. Электронный СВЧ прибор большой мощности пролетного типа, использующий магнитную систему для…
читать статью
Инвестиции в инновации
Нужна ли операция при геморрое

Нужна ли операция при геморрое Нужна ли операция при геморрое
читать статью
Инвестиции в инновации
Где заказать качественные материалы для забора из профлиста?

Где заказать качественные материалы для забора из профлиста? Где заказать качественные материалы для забора из профлиста?
читать статью
Инвестиции в инновации
Способ изготовления ламинатных материалов

Способ изготовления ламинатных материалов Изобретение относится к композитным материалам с улучшенной стойкостью к повреждениям, в частности, вызываемым разрядами молнии, и касается способа…
читать статью
Инвестиции в инновации
Инструмент войны – эволюция военной обуви

Инструмент войны – эволюция военной обуви Так уж сложилось, но на протяжении тысячелетий истории, специализированная обувь, разрабатывалась и видоизменялась только с потребностью армии.
читать статью
Инвестиции в инновации
Способ армирования грунта

Способ армирования грунта Предложенное изобретение относится к области строительства, а именно к укреплению армированием грунтов склонов, откосов, насыпей, оснований…
читать статью
Инвестиции в инновации
Особенности оснащения учебных лабораторий

Особенности оснащения учебных лабораторий Особенности оснащения учебных лабораторий
читать статью
Инвестиции в инновации
⇩ Вход в систему ⇩

Логин:


Пароль: (Забыли?)


 Чужой компьютер
Регистрация
и подписка на новости
⇩ Ваши закладки ⇩
Функция добавления материалов сайта в свои закладки работает только у зарегистрированных пользователей.
⇩ Новые темы форума ⇩
XML error in File: http://www.ntpo.com/forum/rss.xml
⇩ Каталог организаций ⇩
- Добавь свою организацию -
XML error in File: http://www.ntpo.com/org/rss.php
⇩ Комментарии на сайте ⇩

  • Zinfira_Davletova 07.05.2019
    Природа гравитации (5)
    Zinfira_Davletova-фото
    Очень интересная тема и версия, возможно самая близкая к истине.

  • Viktor_Gorban 07.05.2019
    Способ получения электрической ... (1)
    Viktor_Gorban-фото
     У  Скибитцкого И. Г. есть более свежее  изобретение  патент  России RU 2601286  от  2016 года
     также ,  как  и это  оно  тоже  оказалось  не востребованным.

  • nookosmizm 29.04.2019
    Вселенная. Тёмная материя. Гр ... (11)
    nookosmizm-фото
    Никакого начала не было - безконечная вселенная существует изначально, априори как безконечное пространство, заполненное  энергией электромагнитных волн, которые также существуют изначально и материей, которая  состоит из атомов и клеток, которые состоят из вращающихся ЭМ волн.
    В вашей теории есть какие-то гравитоны, которые состоят из не известно чего. Никаких гравитонов нет - есть магнитная энергия, гравитация - это магнитное притяжение.


    Никакого начала не было - вселенная, заполненная энергией ЭМ волн , существует изначально.

  • yuriy_toykichev 28.04.2019
    Энергетическая проблема решена (7)
    yuriy_toykichev-фото
    То есть, никакой энергетической проблемы не решилось от слова совсем. Так как для производства металлического алюминия, тратится уймище энергии. Производят его из глины, оксида и гидроксида алюминия, понятно что с дико низким КПД, что бы потом его сжечь для получения энергии, с потерей ещё КПД ????
    Веселенькое однако решение энергетических проблем, на такие решения никакой энергетики не хватит.

  • Andrey_Lapochkin 22.04.2019
    Генератор на эффекте Серла. Ко ... (3)
    Andrey_Lapochkin-фото
    Цитата: Adnok
    Вместо трудновыполнимых колец, я буду использовать,цилиндрические магниты, собранные в кольцевой пакет, в один, два или три ряда. На мой взгляд получиться фрактал 1 прядка. Мне кажется, что так будет эффективней, в данном случае. И в место катушек, надо попробывать бифиляры или фрактальные катушки. Думаю, хороший будет эксперимент.

    Если что будет получаться поделитесь +79507361473

  • nookosmizm 14.04.2019
    Вселенная. Тёмная материя. Гр ... (11)
    nookosmizm-фото
    Проблема в том, что человечество зомбировано религией, что бог создал всё из ничего. Но у многих не хватает ума подумать, а кто создал бога? Если бога никто не создавал - значит он существует изначально. А почему самому космосу и самой вселенной как богу-творцу - нельзя существовать изначально? 
    Единственным творцом материального мира, его составной субстанцией, источником движения и самой жизни является энергия космоса, носителем которой являются ЭМ волны, которыми как и полагается богу заполнено всё космическое пространство, включая атомы и клетки.


    В начале было то, что есть сейчас. 

  • alinzet 04.04.2019
    Новая теория мироздания - прир ... (5)
    alinzet-фото
    Но ведь это и есть эфир а не темная материя хотя эфир можете называть как вам угодно и суть от этого не изменится 

  • valentin_elnikov 26.03.2019
    Предложение о внедрении в прои ... (7)
    valentin_elnikov-фото
    а м?ожет лампочку прямо подключать к силовым линиям,хотя они и тонкие

  • serzh 12.03.2019
    Вода - энергоноситель, способн ... (10)
    serzh-фото
    От углеводородов кормится вся мировая финансовая элита, по этому они закопают любого, кто покусится на их кормушку. Это один. Два - наличие дешевого источника энергии сделает независимым от правительств стран все население планеты. Это тоже удар по кормушке.

  • nookosmizm 06.03.2019
    Вселенная. Тёмная материя. Гр ... (11)
    nookosmizm-фото
    Вначале было то, что существует изначально и никем не создавалось. А это
    - безграничное пространство космоса
    - безграничное время протекания множества процессов различной длительности
    - электромагнитная энергия, носителем которой являются ЭМ волны, которыми как и положено творцу (богу) материального мира, заполнено всё безграничное пространство космоса, из энергии ЭМВ состоят атомы и клетки, то есть материя.
    Надо различать материю и не материю. Материя - это то, что состоит из атомов и клеток и имеет массу гравитации, не материя - это энергия ЭМ волн, из которых и состоит материя

⇩ Топ 10 авторов ⇩
pi31453_53
Публикаций: 9
Комментариев: 0
agrohimwqn
Публикаций: 0
Комментариев: 0
agrohimxjp
Публикаций: 0
Комментариев: 0
Patriotzqe
Публикаций: 0
Комментариев: 0
kapriolvyd
Публикаций: 0
Комментариев: 0
agrohimcbl
Публикаций: 0
Комментариев: 0
Patriotjpa
Публикаций: 0
Комментариев: 0
kapriolree
Публикаций: 0
Комментариев: 0
gustavoytd
Публикаций: 0
Комментариев: 0
Mihaelsjp
Публикаций: 0
Комментариев: 0
⇩ Лучшее в Архиве ⇩

Нужна регистрация
⇩ Реклама ⇩

Внимание! При полном или частичном копировании не забудьте указать ссылку на www.ntpo.com
NTPO.COM © 2003-2021 Независимый научно-технический портал (Portal of Science and Technology)
Содержание старой версии портала
  • Уникальная коллекция описаний патентов, актуальных патентов и технологий
    • Устройства и способы получения, преобразования, передачи, экономии и сохранения электроэнергии
    • Устройства и способы получения, преобразования, передачи, экономии и сохранения тепловой энергии
    • Двигатели, работа которых основана на новых физических или технических принципах работы
    • Автомобильный транспорт и другие наземные транспортные средства
    • Устройства и способы получения бензина, Дизельного и других жидких или твердых топлив
    • Устройства и способы получения, хранения водорода, кислорода и биогаза
    • Насосы и компрессорное оборудование
    • Воздухо- и водоочистка. Опреснительные установки
    • Устройства и способы переработки и утилизации
    • Устройства и способы извлечения цветных, редкоземельных и благородных металлов
    • Инновации в медицине
    • Устройства, составы и способы повышения урожайности и защиты растительных культур
    • Новые строительные материалы и изделия
    • Электроника и электротехника
    • Технология сварки и сварочное оборудование
    • Художественно-декоративное и ювелирное производство
    • Стекло. Стекольные составы и композиции. Обработка стекла
    • Подшипники качения и скольжения
    • Лазеры. Лазерное оборудование
    • Изобретения и технологии не вошедшие в выше изложенный перечень
  • Современные технологии
  • Поиск инвестора для изобретений
  • Бюро научных переводов
  • Большой электронный справочник для электронщика
    • Справочная база данных основных параметров отечественных и зарубежных электронных компонентов
    • Аналоги отечественных и зарубежных радиокомпонентов
    • Цветовая и кодовая маркировка отечественных и зарубежных электронных компонентов
    • Большая коллекция схем для электронщика
    • Программы для облегчения технических расчётов по электронике
    • Статьи и публикации связанные с электроникой и ремонтом электронной техники
    • Типичные (характерные) неисправности бытовой техники и электроники
  • Физика
    • Список авторов опубликованных материалов
    • Открытия в физике
    • Физические эксперименты
    • Исследования в физике
    • Основы альтернативной физики
    • Полезная информация для студентов
  • 1000 секретов производственных и любительских технологий
    • Уникальные технические разработки для рыбной ловли
  • Занимательные изобретения и модели
    • Новые типы двигателей
    • Альтернативная энергетика
    • Занимательные изобретения и модели
    • Всё о постоянных магнитах. Новые магнитные сплавы и композиции
  • Тайны космоса
  • Тайны Земли
  • Тайны океана
Рейтинг@Mail.ru